Nexperia USA Inc. BSP225,115

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

225mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ω @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

90pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

-225mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.225A

DS 击穿电压-最小值

250V

反馈上限-最大值 (Crss)

15 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant