Nexperia USA Inc. BSP250,135

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.65W Ta

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.65W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅