Nexperia USA Inc. PSMN3R9-60PSQ

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

62.7 ns

Power Dissipation (Max)

263W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A Tc

已出版

2013

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

103nC @ 10V

上升时间

41.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

130A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

705A

RoHS状态

ROHS3 Compliant