Nexperia USA Inc. BUK72150-55A,118

工厂交货时间

26 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

36W Tc

Turn Off Delay Time

8 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

36W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

322pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.5nC @ 10V

上升时间

26ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

160mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

雪崩能量等级（Eas）

16 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant