Nexperia USA Inc. BUK7607-30B,118

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

51 ns

Power Dissipation (Max)

157W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

已出版

2011

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

157W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2427pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

51ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

108A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.007Ohm

漏源击穿电压

30V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无