Nexperia USA Inc. BUK954R8-60E,127

工厂交货时间

21 Weeks

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

78 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

234W Tc

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

已出版

2012

包装

Tube

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

234W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

36 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 5V

上升时间

73ns

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

68 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大双电源电压

60V

漏极-源极导通最大电阻

0.0049Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

590A

RoHS状态

符合RoHS标准