Nexperia USA Inc. BUK9C10-55BIT/A,11

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

194W Ta

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchPLUS

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

7

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4667pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

51nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.015Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

401A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

215 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant