Nexperia USA Inc. BUK9M5R2-30EX

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

79W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Ta

已出版

2016

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.1m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2467pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.5nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

70A

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

358A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

79.2 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant