GAN190-650EBEZ
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Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ

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型号

GAN190-650EBEZ

utmel 编号

1729-GAN190-650EBEZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

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GAN190-650EBEZ
GAN190-650EBEZ Nexperia USA Inc. 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

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GAN190-650EBEZ详情

Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount, Wettable Flank

  • 包装/外壳

    8-VDFN Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    DFN8080-8

  • 厂商

    Nexperia USA Inc.

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11.5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    6V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    2.5V @ 12.2mA

  • Power Dissipation (Max)

    125W (Tc)

  • Base Product Number

    GAN190

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 零件状态

    活跃

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    190mOhm @ 3.9A, 6V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    96 pF @ 400 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.8 nC @ 6 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650 V

  • Vgs(最大值)

    +7V, -1.4V

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技术文档: Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ.

GAN190-650EBEZ拓展信息

BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
NX3008NBKW,115

Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
BSH205G2R

Nexperia USA Inc.

PMV40UN2R
PMV40UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV65XP,215
PMV65XP,215

Nexperia USA Inc.

PSMN075-100MSEX
PSMN075-100MSEX

Nexperia USA Inc.

BSN20BKR
BSN20BKR

Nexperia USA Inc.

PMV30UN2R
PMV30UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV250EPEAR
PMV250EPEAR

Nexperia USA Inc.

NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

Nexperia USA Inc.

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