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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.898555
10
¥4.621279
100
¥4.359699
500
¥4.112922
1000
¥3.880112
Nexperia USA Inc. PBLS6022D,115
- 收藏
- 对比
PBLS6022D,115
1729-PBLS6022D,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBLS6022D,115详情
Nexperia USA Inc. PBLS6022D,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 1.5A
Number of Elements
2
hFEMin
285
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大功率耗散
760mW
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
370mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
150mV
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 5V / 140 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1μA 100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 60V
最大击穿电压
60V
频率转换
150MHz
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
电阻基(R1)
4.7k Ω
连续集电极电流
-1.5A
电阻-发射极基极(R2)
4.7k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBLS6022D,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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