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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.230262
500
¥0.169308
1000
¥0.141094
2000
¥0.129442
5000
¥0.120972
10000
¥0.112534
15000
¥0.108833
50000
¥0.107011
Nexperia USA Inc. PEMD18,115
- 收藏
- 对比
PEMD18,115
1729-PEMD18,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMD18,115详情
Nexperia USA Inc. PEMD18,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.1
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
基本部件号
MD18
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 500μA, 10mA
最大击穿电压
50V
电阻基(R1)
4.7k Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PEMD18,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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