注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.554588
10
¥2.409989
100
¥2.273576
500
¥2.144884
1000
¥2.02347
Nexperia USA Inc. PEMD3,315
- 收藏
- 对比
PEMD3,315
1729-PEMD3,315
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMD3,315详情
Nexperia USA Inc. PEMD3,315重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
30
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
基本部件号
P*MD3
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
通道数量
2
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
电阻基(R1)
10k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
600μm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PEMD3,315拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。