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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.963068
10
¥2.795348
100
¥2.637117
500
¥2.487853
1000
¥2.347026
Nexperia USA Inc. PEMH2,115
- 收藏
- 对比
PEMH2,115
1729-PEMH2,115
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PEMH2,115详情
Nexperia USA Inc. PEMH2,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150mV
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
150mV @ 500μA, 10mA
发射极基极电压 (VEBO)
10V
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PEMH2,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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