Nexperia USA Inc. PH4840S,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

94.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

62.5W Tc

Turn Off Delay Time

82 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.1m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3660pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

67nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

31 ns

连续放电电流(ID)

94.5A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

283A

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅