Nexperia USA Inc. PHD101NQ03LT,118

工厂交货时间

26 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

37 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

166W Tc

系列

TrenchMOS™

已出版

2009

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

166W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2180pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 5V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

185 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无