Nexperia USA Inc. PHK13N03LT,518

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13.8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

6.25W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

752pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.7nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant