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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.452787
10
¥0.427157
100
¥0.402979
500
¥0.380168
1000
¥0.35865
Nexperia USA Inc. PMF170XP,115
- 收藏
- 对比
PMF170XP,115
1729-PMF170XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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In a Pack of 50, P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia PMF170XP, 115
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMF170XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMF170XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1A Ta
Power Dissipation (Max)
290mW Ta 1.67W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.15V @ 250μA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Number of Elements
1
已出版
2013
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 1A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
280pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.9nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏极-源极导通最大电阻
0.3Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMF170XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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