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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.296435
10
¥2.16645
100
¥2.04382
500
¥1.928128
1000
¥1.818996
Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115
- 收藏
- 对比
PMFPB8032XP,115
1729-PMFPB8032XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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PMFPB8032XP - 20 V, 3.7 A / 320 mV VF P-channel MOSFET-Schottky combination
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMFPB8032XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Power Dissipation (Max)
485mW Ta 6.25W Tc
Turn Off Delay Time
120 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
102m Ω @ 2.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
550pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.6nC @ 4.5V
上升时间
14ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
2.7A
栅极至源极电压(Vgs)
-600mV
最大双电源电压
-20V
漏源击穿电压
-20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMFPB8032XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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