Nexperia USA Inc. PMK35EP,518

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.9A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

6.9W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

系列

TrenchMOS™

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 9.2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

260mA

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大双电源电压

-30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.019Ohm

RoHS状态

符合RoHS标准