Nexperia USA Inc. PMN28UN,135
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PMN28UN,135
1729-PMN28UN,135
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74, SOT-457
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MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
1最小包装量--
PMN28UN,135详情
Nexperia USA Inc. PMN28UN,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
包装/外壳
SC-74, SOT-457
安装类型
表面贴装
引脚数
6
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Turn Off Delay Time
53 ns
Power Dissipation (Max)
1.75W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.7A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
700mV @ 1mA
系列
TrenchMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.75W
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
34m Ω @ 2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.1nC @ 4.5V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
5.7A
阈值电压
700mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
漏源击穿电压
12V
长度
3.1mm
高度
1mm
宽度
1.7mm
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
PMN28UN,135拓展信息
Nexperia USA Inc.
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