PMN28UN,135
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Nexperia USA Inc. PMN28UN,135

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型号

PMN28UN,135

utmel 编号

1729-PMN28UN,135

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-74, SOT-457

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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PMN28UN,135
PMN28UN,135 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

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PMN28UN,135详情

Nexperia USA Inc. PMN28UN,135重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 安装类型

    表面贴装

  • 引脚数

    6

  • 质量

    4.535924g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Turn Off Delay Time

    53 ns

  • Power Dissipation (Max)

    1.75W Tc

  • Number of Elements

    1

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V 4.5V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.7A Tc

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    700mV @ 1mA

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 已出版

    1997

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.29.00.75

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    1.75W

  • 接通延迟时间

    8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    34m Ω @ 2A, 4.5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    740pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10.1nC @ 4.5V

  • 上升时间

    15ns

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5.7A

  • 阈值电压

    700mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大双电源电压

    12V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.04Ohm

  • 漏源击穿电压

    12V

  • 长度

    3.1mm

  • 高度

    1mm

  • 宽度

    1.7mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

PMN28UN,135拓展信息

BUK98150-55A/CUF
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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
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PMV65XP,215
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PMV250EPEAR
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NX3020NAKW,115
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