Nexperia USA Inc. PMN45EN,135

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.75W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.75W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

495pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.1nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

20V

连续放电电流(ID)

5.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

符合RoHS标准