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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.194441
10
¥4.900412
100
¥4.623033
500
¥4.361351
1000
¥4.11448
Nexperia USA Inc. PMN48XP,115
- 收藏
- 对比
PMN48XP,115
1729-PMN48XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74, SOT-457
大陆
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PMN48XP - 20 V, 4.1 A P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMN48XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMN48XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
530mW Ta 6.25W Tc
Turn Off Delay Time
51 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
电阻
55MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
530mW
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
55m Ω @ 2.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 4.5V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
4.1A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
-20V
漏源击穿电压
-20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMN48XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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