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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.88339
10
¥2.720177
100
¥2.566204
500
¥2.420949
1000
¥2.283912
Nexperia USA Inc. PMPB100XPEAX
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PMPB100XPEAX
1729-PMPB100XPEAX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN2020MD
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¥
总价: ¥
PMPB100XPEAX详情
Nexperia USA Inc. PMPB100XPEAX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
550mW Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.25V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
122m Ω @ 3.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
388pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
+8V, -10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.122Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB100XPEAX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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