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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.828775
10
¥1.725259
100
¥1.627603
500
¥1.535474
1000
¥1.448561
Nexperia USA Inc. PMPB15XP,115
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- 对比
PMPB15XP,115
1729-PMPB15XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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PMPB15XP - 12 V, single P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB15XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB15XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
85 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 8.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2875pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 4.5V
上升时间
90ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
57 ns
连续放电电流(ID)
8.2A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大双电源电压
-12V
漏极-源极导通最大电阻
0.019Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
33A
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMPB15XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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