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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.406237
10
¥4.156829
100
¥3.921538
500
¥3.699565
1000
¥3.490155
Nexperia USA Inc. PMPB19XP,115
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- 对比
PMPB19XP,115
1729-PMPB19XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET P-CH 20V 7.2A 6DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB19XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB19XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
43 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22.5m Ω @ 7.2A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2890pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43.2nC @ 4.5V
上升时间
54ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
7.2A
栅极至源极电压(Vgs)
-680mV
最大双电源电压
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0225Ohm
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB19XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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