注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.601454
10
¥4.340994
100
¥4.095276
500
¥3.863468
1000
¥3.644779
Nexperia USA Inc. PMPB20XPE,115
- 收藏
- 对比
PMPB20XPE,115
1729-PMPB20XPE,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

PMPB20XPE - 20 V, single P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB20XPE,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB20XPE,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
92 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23.5m Ω @ 7.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
294pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 4.5V
上升时间
60ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
7.2A
栅极至源极电压(Vgs)
-680mV
最大双电源电压
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0235Ohm
漏源击穿电压
-20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB20XPE,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。