Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA/FX
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PMPB215ENEA/FX
1729-PMPB215ENEA/FX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
1最小包装量--
PMPB215ENEA/FX详情
Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA/FX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.8A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.7V @ 250μA
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
230m Ω @ 1.9A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
215pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.2nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.9A
漏极-源极导通最大电阻
0.23Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7.6A
DS 击穿电压-最小值
80V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PMPB215ENEA/FX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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