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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.618233
10
¥3.41343
100
¥3.220214
500
¥3.037941
1000
¥2.865975
Nexperia USA Inc. PMPB33XP,115
- 收藏
- 对比
PMPB33XP,115
1729-PMPB33XP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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PMPB33XP - 20 V, single P-channel Trench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB33XP,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB33XP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
37m Ω @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1575pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
5.5A
最大双电源电压
-20V
漏极-源极导通最大电阻
0.037Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB33XP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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