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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.334107
10
¥5.032173
100
¥4.747338
500
¥4.478622
1000
¥4.22511
Nexperia USA Inc. PMPB48EP,115
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- 对比
PMPB48EP,115
1729-PMPB48EP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB48EP,115详情
Nexperia USA Inc. PMPB48EP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.7W Ta 12.5W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
50m Ω @ 4.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
860pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
4.7A
最大双电源电压
-30V
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
19A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB48EP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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