Nexperia USA Inc. PMPB55XNEAX

包装/外壳

6-UDFN Exposed Pad

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

550mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.25V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

零件状态

活跃

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

S-PDSO-N6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

72m Ω @ 3.8A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

255pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.072Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant