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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.950406
10
¥4.670198
100
¥4.405844
500
¥4.156459
1000
¥3.921185
Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA/FX
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- 对比
PMPB95ENEA/FX
1729-PMPB95ENEA/FX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N-CH 80V 4.1A 6DFN2020MD
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMPB95ENEA/FX详情
Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA/FX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
终止次数
6
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
S-PDSO-N6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
105m Ω @ 2.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
504pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14.9nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.105Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11.2A
DS 击穿电压-最小值
80V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMPB95ENEA/FX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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