Nexperia USA Inc. PMT200EPEAX
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PMT200EPEAX
1729-PMT200EPEAX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73
1最小包装量--
PMT200EPEAX详情
Nexperia USA Inc. PMT200EPEAX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
终止次数
4
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
167m Ω @ 2.4A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
822pF @ 35V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15.9nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
70V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.167Ohm
DS 击穿电压-最小值
70V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMT200EPEAX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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