注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.756575
10
¥0.71375
100
¥0.673349
500
¥0.635235
1000
¥0.599278
Nexperia USA Inc. PMT280ENEAX
- 收藏
- 对比
PMT280ENEAX
1729-PMT280ENEAX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

NEXPERIA - PMT280ENEAX - Transistor MOSFET, Canal N, 1.5 A, 100 V, 0.285 ohm, 10 V, 1.7 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMT280ENEAX详情
Nexperia USA Inc. PMT280ENEAX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
770mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
385m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
195pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.385Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMT280ENEAX拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。