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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.207323
10
¥2.082381
100
¥1.964505
500
¥1.853307
1000
¥1.748409
Nexperia USA Inc. PMV25ENEAR
- 收藏
- 对比
PMV25ENEAR
1729-PMV25ENEAR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V TO-236AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMV25ENEAR详情
Nexperia USA Inc. PMV25ENEAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
460mW Ta 6.94W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
24m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
597pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
18nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.024Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMV25ENEAR拓展信息
Nexperia USA Inc.
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