Nexperia USA Inc. PMV32UP,215

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

510mW Ta

Turn Off Delay Time

95 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

510mW

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 2.4A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1890pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.5nC @ 4.5V

上升时间

21ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅