Nexperia USA Inc. PMV45EN2VL

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.1A Ta

Power Dissipation (Max)

510mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

42m Ω @ 4.1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

209pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.1A

漏极-源极导通最大电阻

0.042Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant