Nexperia USA Inc. PMV65UNER

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

490mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

73m Ω @ 2.8A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

291pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.073Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant