Nexperia USA Inc. PMV65XP/MIR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

480mW Ta 4.17W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

74m Ω @ 2.8A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

744pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.076Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V