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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.855392
10
¥0.806974
100
¥0.761297
500
¥0.718204
1000
¥0.677551
Nexperia USA Inc. PMXB40UNEZ
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- 对比
PMXB40UNEZ
1729-PMXB40UNEZ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XDFN Exposed Pad
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NEXPERIA - PMXB40UNEZ - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 3.2 A, 12 V, 0.034 ohm, 4.5 V, 650 mV
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMXB40UNEZ详情
Nexperia USA Inc. PMXB40UNEZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Ta 8.33W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
900mV @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
DUAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 3.2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
556pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.6nC @ 4.5V
上升时间
21ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
12V
漏极-源极导通最大电阻
0.064Ohm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMXB40UNEZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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