注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.276253
10
¥0.260616
100
¥0.245863
500
¥0.231947
1000
¥0.218818
Nexperia USA Inc. PMZ600UNEYL
- 收藏
- 对比
PMZ600UNEYL
1729-PMZ600UNEYL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMZ600UNEYL详情
Nexperia USA Inc. PMZ600UNEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
包装/外壳
SC-101, SOT-883
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
950mV @ 250μA
Turn Off Delay Time
19 ns
Power Dissipation (Max)
360mW Ta 2.7W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
600mA Ta
已出版
2014
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
5.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
620m Ω @ 600mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
21.3pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
上升时间
9.2ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
51 ns
连续放电电流(ID)
600mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.62Ohm
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMZ600UNEYL拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。