PMZ600UNEYL
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Nexperia USA Inc. PMZ600UNEYL

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型号

PMZ600UNEYL

utmel 编号

1729-PMZ600UNEYL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3

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PMZ600UNEYL Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3

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PMZ600UNEYL详情

Nexperia USA Inc. PMZ600UNEYL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 包装/外壳

    SC-101, SOT-883

  • 安装类型

    表面贴装

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    950mV @ 250μA

  • Turn Off Delay Time

    19 ns

  • Power Dissipation (Max)

    360mW Ta 2.7W Tc

  • Number of Elements

    1

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.2V 4.5V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    600mA Ta

  • 已出版

    2014

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    5.6 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    620m Ω @ 600mA, 4.5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    21.3pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    9.2ns

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    51 ns

  • 连续放电电流(ID)

    600mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.6A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.62Ohm

  • 漏源击穿电压

    20V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Nexperia USA Inc. PMZ600UNEYL.

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PMZ600UNEYL拓展信息

BUK98150-55A/CUF
BUK98150-55A/CUF

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKW,115
NX3008NBKW,115

Nexperia USA Inc.

BSH205G2R
BSH205G2R

Nexperia USA Inc.

PMV40UN2R
PMV40UN2R

Nexperia USA Inc.

PMV65XP,215
PMV65XP,215

Nexperia USA Inc.

PSMN075-100MSEX
PSMN075-100MSEX

Nexperia USA Inc.

BSN20BKR
BSN20BKR

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PMV30UN2R
PMV30UN2R

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PMV250EPEAR
PMV250EPEAR

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NX3020NAKW,115
NX3020NAKW,115

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