Nexperia USA Inc. PMZ760SN,315

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

2.5W Tc

Turn Off Delay Time

5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

系列

TrenchMOS™

已出版

2007

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

900MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

BOTTOM

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 300mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.05nC @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.2 ns

连续放电电流(ID)

1.22A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

60V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

栅源电压

2 V

宽度

620μm

高度

470μm

长度

1.02mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅