Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

680mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Ta 2.7W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

715mW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 400mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

87pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.14nC @ 4.5V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

72 ns

连续放电电流(ID)

680mA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大双电源电压

-20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.68A

漏极-源极导通最大电阻

0.85Ohm

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant