Nexperia USA Inc. PQMD12Z

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

350mW

引脚数量

6

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

230MHz

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 10mA

转换频率

230MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

230MHz 180MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

电阻基(R1)

47k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant