Nexperia USA Inc. PSMN003-30P,127

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

210 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2001

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.75

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

33 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.8m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

66ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

115 ns

连续放电电流(ID)

75A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅