Nexperia USA Inc. PSMN030-150B,118
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PSMN030-150B,118
1729-PSMN030-150B,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
1最小包装量--
PSMN030-150B,118详情
Nexperia USA Inc. PSMN030-150B,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
55.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Turn Off Delay Time
97 ns
Power Dissipation (Max)
250W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
已出版
2010
系列
TrenchMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
250W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
30mOhm @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3680pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
98nC @ 10V
上升时间
71ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
76 ns
连续放电电流(ID)
55.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
150V
漏源击穿电压
150V
输入电容
3.68nF
漏源电阻
30mOhm
最大rds
30 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
辐射硬化
无
无铅
无铅
PSMN030-150B,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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