Nexperia USA Inc. PSMN038-100K,518

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.5W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电压

100V

电流

63A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.5W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38m Ω @ 5.2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

6.3A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准