Nexperia USA Inc. PSMN102-200Y,115

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

113W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

113W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

102m Ω @ 12A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1568pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30.7nC @ 10V

上升时间

29.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

21.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

漏极-源极导通最大电阻

0.102Ohm

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

65A

雪崩能量等级（Eas）

202 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅