Nexperia USA Inc. PSMN165-200K,518

工厂交货时间

16 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

50 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.5W Tc

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.5W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 2.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

2.9A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

200V

漏极-源极导通最大电阻

0.165Ohm

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅