Nexperia USA Inc. PSMN8R0-80YLX

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

SC-100, SOT-669

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

238W Ta

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

已出版

2017

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

零件状态

活跃

终止次数

4

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8167pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

104nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MO-235

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

423A

DS 击穿电压-最小值

80V

雪崩能量等级（Eas）

148 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant