BLF378
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NXP BLF378

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型号

BLF378

品牌

NXP

utmel 编号

1786-BLF378

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2 Channel Vhf Band Si N-channel Rf Power Mosfet

起订量

1最小包装量--

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BLF378
BLF378 NXP 2 Channel Vhf Band Si N-channel Rf Power Mosfet

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BLF378详情

NXP BLF378重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Composite

  • 插入材料

    Thermoplastic

  • 终端数量

    4

  • 后壳材料,电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    -

  • Package

    Bulk

  • Primary Material

    Composite

  • Base Product Number

    CTVPS00RF

  • 厂商

    Amphenol Aerospace Operations

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Manufacturer Part Number

    BLF378

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Advanced Semiconductor Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ASI SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.3

  • Drain Current-Max (ID)

    18 A

  • 操作温度

    -65°C ~ 200°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ TV

  • 终端

    Crimp

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Male Pins

  • 定位的数量

    8 (Twinax)

  • 颜色

    Silver

  • 应用

    Aviation, Marine, Military

  • 紧固类型

    Threaded

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 额定电流

    -

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    B

  • 终端形式

    FLAT

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • Reach合规守则

    unknown

  • 外壳完成

    化学镍

  • 引脚数量

    4

  • 外壳尺寸-插入

    25-8

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F4

  • 资历状况

    不合格

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 外壳尺寸,MIL

    -

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 电缆开口

    -

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    18 A

  • DS 击穿电压-最小值

    125 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    500 W

  • 最高频段

    甚高频段

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

0个相似型号

BLF378拓展信息

AFT05MS003NT1
AFT05MS003NT1

NXP USA Inc.

BF862,215
BF862,215

NXP USA Inc.

MW6S010GNR1
MW6S010GNR1

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6
MRFE6VP61K25HR6

NXP USA Inc.

AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1

NXP USA Inc.

MRFE6S9125NR1
MRFE6S9125NR1

NXP USA Inc.

MRF085HR5178
MRF085HR5178

NXP Semiconductors

AFT09MS007NT1
AFT09MS007NT1

NXP USA Inc.

AFT27S010NT1
AFT27S010NT1

NXP USA Inc.

AFT05MS006NT1
AFT05MS006NT1

NXP USA Inc.

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